集成电路制造工艺

芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域：

扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；

②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；  

③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下的图形；

④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；

⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。

⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。